中芯集成-U申请接触孔结构及其制作方法专利，降低工艺成本_资讯

中芯集成-U申请接触孔结构及其制作方法专利，降低工艺成本

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2024-04-05 15:31:09

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金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“接触孔结构及其制作方法“，公开号CN117832070A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种接触孔结构及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层，形成暴露所述衬底的第一接触孔；形成保护层，所述保护层覆盖所述第一接触孔的侧壁以及所述衬底的表面；刻蚀所述第一接触孔底部暴露出的所述衬底，形成第二接触孔；以及去除所述保护层。本发明形成第一接触孔之后，在所述第一接触孔的侧壁形成保护层，然后再刻蚀所述第一接触孔底部暴露出的所述衬底形成第二接触孔，所述保护层的存在减小了所述第二接触孔的尺寸，无需对光刻设备进行改造即可减小接触孔尺寸，从而降低了工艺成本。

来源：金融界

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